Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
ZXTN25015DFHTA
- zxtn25015dfhta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN 15V 5A SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN25012EFLTA
- zxtn25012eflta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN HI GAIN LP 12V SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 65mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN25012EZTA
- zxtn25012ezta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN HI GAIN 12V SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 6.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN25012EFHTA
- zxtn25012efhta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN 12V 6A MED PWR SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 32mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2040FTA
- zxtn2040fta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN 40V 1A SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN23015CFHTA
- zxtn23015cfhta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN 15V 6A SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 15mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2038FTA
- zxtn2038fta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 2mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2031FTA
- zxtn2031fta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN 50V 5A SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 18mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2020FTA
- zxtn2020fta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN 100V 4A SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2018FTA
- zxtn2018fta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2010A
- zxtn2010a
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 60V 4.5A TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2010ASTZ
- zxtn2010astz
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 60V 4.5A TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2010GTA
- zxtn2010gta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 60V 6A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2011GTA
- zxtn2011gta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN MED PWR 100V SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 35mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2011ZTA
- zxtn2011zta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN MED PWR 100V SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2007GTA
- zxtn2007gta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 30V 7A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 35mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 7A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2007ZTA
- zxtn2007zta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 30V 6A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 35mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2010ZTA
- zxtn2010zta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 60V 5A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2005ZTA
- zxtn2005zta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 25V 5.5A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 35mV @ 10mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXTN2005GTA
- zxtn2005gta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 25V 7A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 7A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК