Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
ZXT953KTC
- zxt953ktc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR PNP LO-SAT 100V D-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT790AKTC
- zxt790aktc
- Diodes/Zetex
- TRANS PNP LO-SAT 40V 3A D-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT690BKTC
- zxt690bktc
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO-SAT 45V 3A D-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 5mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT4M322TA
- zxt4m322ta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR PNP 70V 2.5A 3-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 70V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 2.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT2M322TA
- zxt2m322ta
- Diodes/Zetex
- TRANS PNP LO SAT 2X2MM 3-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 20mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT1M322TA
- zxt1m322ta
- Diodes/Zetex
- TRANS PNP LO SAT 2X2MM 3-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT14P40DXTA
- zxt14p40dxta
- Diodes/Zetex
- TRANS PNP LO SAT -40V -4A 8-MSOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 20mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT3M322TA
- zxt3m322ta
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR PNP 40V 3-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13P20DE6TC
- zxt13p20de6tc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR PNP 20V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13P40DE6TC
- zxt13p40de6tc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR PNP 40V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 20mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT14P12DXTA
- zxt14p12dxta
- Diodes/Zetex
- TRANS PNP LO SAT -12V -6A 8-MSOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 6A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13P40DE6TA
- zxt13p40de6ta
- Diodes/Zetex
- TRANS PNP LOSAT -40V -3A SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 20mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13P20DE6TA
- zxt13p20de6ta
- Diodes/Zetex
- TRANS PNP LS -20V -3.5A SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13N50DE6TA
- zxt13n50de6ta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 50V 4A SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13P12DE6TA
- zxt13p12de6ta
- Diodes/Zetex
- TRANS PNP LOSAT -12V -4A SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13P12DE6TC
- zxt13p12de6tc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR PNP 12V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13N20DE6TA
- zxt13n20de6ta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LOSAT 20V 4.5A SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13N20DE6TC
- zxt13n20de6tc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN 20V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13N15DE6TA
- zxt13n15de6ta
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN LO SAT 15V 5A SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXT13N15DE6TC
- zxt13n15de6tc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN15V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК