Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
PBSS4350X,115
- pbss4350x.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 50V 3A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4350T,215
- pbss4350t.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 50V 2A SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 480m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4350S,126
- pbss4350s.126
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 50V 3A LOW SAT TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4350D,135
- pbss4350d.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 50V 3A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 750
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4350D,115
- pbss4350d.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 50V 3A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 750
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4320X,135
- pbss4320x.135
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 20V 3A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4330X,115
- pbss4330x.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 30V 3A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4320T,215
- pbss4320t.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20V 2A SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 480m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4250X,135
- pbss4250x.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 50V 2A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4250X,115
- pbss4250x.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 50V 2A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4240V,115
- pbss4240v.115
- NXP Semiconductors
- TRAN NPN 40V 1.8A SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4240Y,115
- pbss4240y.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 3A SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 27
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4240T,215
- pbss4240t.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 2A SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 480mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4230T,215
- pbss4230t.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 30V 2A SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 480mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4220V,115
- pbss4220v.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20V 2A LOW SAT SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 55mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4160V,115
- pbss4160v.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 60V 1A LOW SAT SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4160U,115
- pbss4160u.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 60V 1A LOW SAT SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4160T,215
- pbss4160t.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 60V 1A SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4160K,115
- pbss4160k.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 60V 1A LOW SAT SC59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4140V,115
- pbss4140v.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 40V 1000MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК