Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
PBSS4140U,135
- pbss4140u.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 1000MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4140U,115
- pbss4140u.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 1000MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4140S,126
- pbss4140s.126
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 1000MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4140T,235
- pbss4140t.235
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 1000MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4130T,215
- pbss4130t.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 30V 1A LOW SAT SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4041PT,215
- pbss4041pt.215
- PhilipsSemiconducto
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4032PD,115
- pbss4032pd.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4120T,215
- pbss4120t.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20V 1A SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 300mW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4041PX,115
- pbss4041px.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4041NT,215
- pbss4041nt.215
- PhilipsSemiconducto
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4041NZ,115
- pbss4041nz.115
- NXP Semiconductors
- SOT223-4/60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS4021NZ,115
- pbss4021nz.115
- NXP Semiconductors
- SC73/20 V, 8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS3540M,315
- pbss3540m.315
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 500MA SOT883 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS3540E,115
- pbss3540e.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 40V 500MA LOW SAT SC75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS3515M,315
- pbss3515m.315
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 500MA SOT883 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS3515E,115
- pbss3515e.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 15V 0.5A SOT416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 25mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS306PX,115
- pbss306px.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 100V 3.7A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 45mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3.7A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS306PZ,135
- pbss306pz.135
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 100V 4.1A SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 45mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4.1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS306NZ,135
- pbss306nz.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 100v 5.1A SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5.1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS306NX,115
- pbss306nx.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 100V 3.7A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК