Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
NJT4030PT3G
- njt4030pt3g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP BIPO 3A 40V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJT4031NT3G
- njt4031nt3g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN BIPO 40V 3A SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJT4031NT1G
- njt4031nt1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 40V BIPOLAR SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL4302DG
- njl4302dg
- ON Semiconductor
- TRANS THERMTRK PNP 230W TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL4281DG
- njl4281dg
- ON Semiconductor
- TRANS THERMALTRK NPN 250W TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL3281DG
- njl3281dg
- ON Semiconductor
- TRANS BIPO NPN 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL3281D
- njl3281d
- ON Semiconductor
- TRANS BIPO NPN 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL0281DG
- njl0281dg
- ON Semiconductor
- TRANS THERMALTRK NPN 180W TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL1302DG
- njl1302dg
- ON Semiconductor
- TRANS BIPO PNP 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL1302D
- njl1302d
- ON Semiconductor
- TRANS BIPO PNP 200W 260V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL21193DG
- njl21193dg
- ON Semiconductor
- TRANS THERMALTRK PNP 200W TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL21194DG
- njl21194dg
- ON Semiconductor
- TRANS THERMALTRK NPN 200W TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJL0302DG
- njl0302dg
- ON Semiconductor
- TRANS THERMALTRK PNP 150W TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJD35N04G
- njd35n04g
- ON Semiconductor
- TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJD35N04T4G
- njd35n04t4g
- ON Semiconductor
- TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJD2873T4G
- njd2873t4g
- ON Semiconductor
- TRANS PWR NPN 2A 50V BIPO DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJD2873RL
- njd2873rl
- ON Semiconductor
- TRANS PWR NPN 2A 50V BIPO DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJD1718T4G
- njd1718t4g
- ON Semiconductor
- 2.0 A, 50 V PNP Power Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSD601-ST1G
- msd601.st1g
- ON Semiconductor
- TRANS GP NPN 100MA 50V SC59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSD602-RT1G
- msd602.rt1g
- ON Semiconductor
- TRANS GP NPN 100MA 50V SC59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК