Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
NSS1C200MZ4T1G
- nss1c200mz4t1g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP 100V 2A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 2В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS1C201LT1G
- nss1c201lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 100V 3A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 49
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12201LT1G
- nss12201lt1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN BIPO 12V 4A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12600CF8T1G
- nss12600cf8t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 6A 12V CHIPFET Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 83
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS1C201MZ4T1G
- nss1c201mz4t1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 100V 2A SOT223-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12601CF8T1G
- nss12601cf8t1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 12V 8A 1206A CHIPFET Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12500UW3T2G
- nss12500uw3t2g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 8A 12V 3-WDFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 1.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12200WT1G
- nss12200wt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 2A 12V SC-88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12200LT1G
- nss12200lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 4A 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12100M3T5G
- nss12100m3t5g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 1A 12V SOT-723 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 62
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12100UW3TCG
- nss12100uw3tcg
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 1A 12V WDFN3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS12100XV6T1G
- nss12100xv6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 1A 12V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 65
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSL12AWT1
- nsl12awt1
- ON Semiconductor
- TRANS PNP BIPOLAR 12V 3A SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 160mV @ 10mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSL12AWT1G
- nsl12awt1g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP BIPOLAR 12V 3A SC-88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 16mA, 800mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSCT817-40LT1G
- nsct817.40lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSCT817-25LT3G
- nsct817.25lt3g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSCT3906LT1G
- nsct3906lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP GP 40V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSCT3906LT3G
- nsct3906lt3g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP GP 40V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSCT3904LT1G
- nsct3904lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN GP 40V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSCT817-25LT1G
- nsct817.25lt1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 45V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК