Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

Изображения для MJE5731A

MJE5731A

  • mje5731a
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 1A 375V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 375V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE5731AG

MJE5731AG

  • mje5731ag
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 1A 375V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 375V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE5730G

MJE5730G

  • mje5730g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER PNP 1A 300V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE5731

MJE5731

  • mje5731
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 1A 350V TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE521G

MJE521G

  • mje521g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER NPN 4A 40V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE5730

MJE5730

  • mje5730
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 1A 300V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE4353G

MJE4353G

  • mje4353g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER PNP 16A 160V TO218 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE521

MJE521

  • mje521
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 4A 40V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Ко

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE4353

MJE4353

  • mje4353
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 16A 160V TO218 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE4343G

MJE4343G

  • mje4343g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER NPN 16A 160V TO218 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE4343

MJE4343

  • mje4343
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 16A 160V TO218 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE371G

MJE371G

  • mje371g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER PNP 4A 40V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE371

MJE371

  • mje371
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 4A 40V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Ко

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE350STU

MJE350STU

  • mje350stu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 300V 500MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Throug

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE350G

MJE350G

  • mje350g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP .5A 300V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE350

MJE350

  • mje350
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP .5A 300V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE344G

MJE344G

  • mje344g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER NPN .5A 200V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE3439G

MJE3439G

  • mje3439g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER NPN .3A 350V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE340G

MJE340G

  • mje340g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN .5A 300V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE340

MJE340

  • mje340
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN .5A 300V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь