Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
MJE3055TG
- mje3055tg
- ON Semiconductor
- TRANS PWR NPN 10A 60V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE3055T
- mje3055t
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN 60V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE3055TTU
- mje3055ttu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 60V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V · Мощность макcимальная: 60
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE2955TTU
- mje2955ttu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 60V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE2955TG
- mje2955tg
- ON Semiconductor
- TRANS PWR PNP 10A 60V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE2955T
- mje2955t
- ON Semiconductor, Fairchild
- TRANS PWR PNP 10A 60V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE271G
- mje271g
- ON Semiconductor
- TRANS DARL PNP 2A 100V TO-225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 200µA, 20mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE271
- mje271
- ON Semiconductor
- TRANS DARL PNP 2A 100V TO-225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 200µA, 20mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE270G
- mje270g
- ON Semiconductor
- TRANS POWER NPN 2A 100V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 200µA, 20mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE270
- mje270
- ON Semiconductor
- TRANS PWR NPN 2A 100V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 200µA, 20mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE253G
- mje253g
- ON Semiconductor
- TRANS PWR PNP 4A 100V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE243G
- mje243g
- ON Semiconductor
- TRANS PWR NPN 4A 100V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE210TG
- mje210tg
- ON Semiconductor
- TRANS PWR PNP 5A 25V TO-225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE210T
- mje210t
- ON Semiconductor
- TRANS PWR PNP 5A 25V TO-225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE210STU
- mje210stu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 25V 5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 15Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE210
- mje210
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR PNP -40V -5A SOT-32 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE200G
- mje200g
- ON Semiconductor
- TRANS PWR NPN 5A 25V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE210G
- mje210g
- ON Semiconductor
- TRANS PWR PNP 5A 25V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE200TSTU
- mje200tstu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 25V 5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 15Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJE200STU
- mje200stu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 25V 5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 15Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК