Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

Изображения для MJE15030

MJE15030

  • mje15030
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 8A 150V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15029

MJE15029

  • mje15029
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 8A 120V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15029G

MJE15029G

  • mje15029g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER PNP 8A 120V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15028

MJE15028

  • mje15028
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 8A 120V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15028G

MJE15028G

  • mje15028g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER NPN 8A 120V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE13007G

MJE13007G

  • mje13007g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 8A 400V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE13009G

MJE13009G

  • mje13009g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 12A 400V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A · Ток коллектора (макс): 12A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE13009

MJE13009

  • mje13009
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 12A 400V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A · Ток коллектора (макс): 12A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE13007

MJE13007

  • mje13007
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 8A 400V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE13005G

MJE13005G

  • mje13005g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 4A 400V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE13005

MJE13005

  • mje13005
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 4A 400V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE13003G

MJE13003G

  • mje13003g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER NPN 1.5A 400V TO-225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V · Мощность макcи

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE13003

MJE13003

  • mje13003
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 1.5A 400V TO225 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJD6039T4G

MJD6039T4G

  • mjd6039t4g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL NPN 4A 80V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJD6039T4

MJD6039T4

  • mjd6039t4
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL NPN 4A 80V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJD5731T4G

MJD5731T4G

  • mjd5731t4g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER PNP 1A 350V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJD50TF

MJD50TF

  • mjd50tf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 400V 1A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJD5731T4

MJD5731T4

  • mjd5731t4
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER PNP 1A 350V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJD50T4

MJD50T4

  • mjd50t4
  • STMicroelectronics
  • TRANSISTOR NPN 400V 1A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJD50T4G

MJD50T4G

  • mjd50t4g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 1A 400V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь