Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

Изображения для MJE180

MJE180

  • mje180
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 3A 40V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE172G

MJE172G

  • mje172g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 3A 80V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE172

MJE172

  • mje172
  • STMicroelectronics
  • TRANSISTOR PNP 80V 3A SOT-32 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE171G

MJE171G

  • mje171g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER PNP 3A 60V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE171STU

MJE171STU

  • mje171stu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V 3A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 150mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE171

MJE171

  • mje171
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 3A 60V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE170STU

MJE170STU

  • mje170stu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 40V 3A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 150mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE170

MJE170

  • mje170
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 3A 40V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15033G

MJE15033G

  • mje15033g
  • ON Semiconductor, ON
  • TRANS PWR PNP 8A 250V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15035G

MJE15035G

  • mje15035g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 4A 350V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15035

MJE15035

  • mje15035
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 4A 350V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE170G

MJE170G

  • mje170g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER PNP 3A 40V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15034

MJE15034

  • mje15034
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 4A 350V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15033

MJE15033

  • mje15033
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 8A 250V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15034G

MJE15034G

  • mje15034g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 4A 350V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15032G

MJE15032G

  • mje15032g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 8A 250V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15032

MJE15032

  • mje15032
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 8A 250V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15031G

MJE15031G

  • mje15031g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 8A 150V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15031

MJE15031

  • mje15031
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 8A 150V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJE15030G

MJE15030G

  • mje15030g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 8A 150V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь