Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
BUXD87T4
- buxd87t4
- GLENAIR
- 0L TRANSISTOR 450V - - (Peak Solder Temp: 260 °C)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX98A
- bux98a
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3.2A, 16A · Ток коллектора (макс): 30A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип транзистора: NPN ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX98APW
- bux98apw
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN 450V 24A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.2A, 16A · Ток коллектора (макс): 24A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип транзистора: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX87
- bux87
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN SOT-32 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX85G
- bux85g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 2A 450V 50W TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX84-S
- bux84.s
- BOURNS
- NPN LEISTUNGSTRANSISTOR PLASTIK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX85
- bux85
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 2A 450V 50W TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX48
- bux48
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 4A, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Мощность макcимальная: 175W · Тип транзистора: NPN · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX48A
- bux48a
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.6A, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Мощность макcимальная: 175W · Тип транзистора: NPN ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX348
- bux348
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 6A, 30A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUW48
- buw48
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2A, 20A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 150Вт · Модуляция частот: 8MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUX10
- bux10
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 25A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 2V · Мощность макcимальная: 150Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUV48A
- buv48a
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 450V 15A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.6A, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUV21G
- buv21g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 200V 40A BIPO TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.2A, 12A · Ток коллектора (макс): 40A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUV27G
- buv27g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 120V 12A BIPO TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 12A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUV26G
- buv26g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 90V 20A BIPLAR TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 400mA, 6A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Мощность макcимальная: 85Вт · Тип транзистора:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUV27
- buv27
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 12A · Мощность макcимальная: 85Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUV22
- buv22
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 250V 40A BIPO TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 40A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUV22G
- buv22g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 250V 40A BIPO TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A · Ток коллектора (макс): 40A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUV26
- buv26
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 600mA, 6A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 85Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК