Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
BUT11-S
- but11.s
- BOURNS
- NPN LEISTUNGSTRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT12A
- but12a
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 450V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT11TU
- but11tu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 400V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUV20
- buv20
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN HI CURR TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5A, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT11FTU
- but11ftu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 400V 5A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT11APX,127
- but11apx.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 1000V 5A SOT186A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT11ATU
- but11atu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 450V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUTW92
- butw92
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15A, 60A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 60
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT90
- but90
- STMicroelectronics, ST
- TRANSISTOR POWER NPN TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1.75A, 35A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT70W
- but70w
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 7A, 70A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT12TU
- but12tu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 400V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT12ATU
- but12atu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 450V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT12AI,127
- but12ai.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 1000V 8A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 860mA, 5A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT11A
- but11a
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 450V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT11AFTU
- but11aftu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 450V 5A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUT11
- but11
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 400V 5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип транзистора: NPN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUR51
- bur51
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN 300V 60A TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5A, 50A · Ток коллектора (макс): 60A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BULT118M
- bult118m
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN FAST HV SOT-32 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BULT118
- bult118
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN SOT-32 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BULK128D-B
- bulk128d.b
- ST MICRO
- Transistors Switching (Resistor Biased) High Voltage NPN 700V PWR Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК