Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
2N6034
- 2n6034
- ON Semiconductor
- TRANS DARL PNP 4A 40V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N6038
- 2n6038
- ON Semiconductor
- TRANS DARL NPN 4A 60V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N6035G
- 2n6035g
- ON Semiconductor
- TRANS DARL PNP 60V 4A TO-225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5962
- 2n5962
- Fairchild Semiconductor
- AMP GP NPN 45V 10MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5962_D74Z
- 2n5962.d74z
- Fairchild Semiconductor
- AMP GP NPN 45V 10MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5962_D26Z
- 2n5962.d26z
- Fairchild Semiconductor
- AMP GP NPN 45V 10MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5961_D27Z
- 2n5961.d27z
- Fairchild Semiconductor
- AMP GP NPN 60V 10MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5961
- 2n5961
- Fairchild Semiconductor
- IC TRANS NPN SS LN 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5886G
- 2n5886g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN PWR GP 25A 80V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5885G
- 2n5885g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN PWR GP 25A 60V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5885
- 2n5885
- ON Semiconductor
- TRANS NPN PWR GP 25A 60V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5884
- 2n5884
- ON Semiconductor
- TRANS PNP PWR GP 25A 80V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5884G
- 2n5884g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP PWR GP 25A 80V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5883G
- 2n5883g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP PWR GP 25A 60V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5830
- 2n5830
- Fairchild Semiconductor
- IC TRANS NPN SS HV 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5830_D26Z
- 2n5830.d26z
- Fairchild Semiconductor
- AMP GP NPN 100V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5772_D75Z
- 2n5772.d75z
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR SW NPN 15V 300MA TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5772_D26Z
- 2n5772.d26z
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR SW NPN 15V 300MA TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5772
- 2n5772
- Fairchild Semiconductor, Fairchild
- IC TRANS NPN SS HS LOGIC TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N5771_D74Z
- 2n5771.d74z
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR SW PNP 15V 200MA TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК