Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

Изображения для 2N5771_D75Z

2N5771_D75Z

  • 2n5771.d75z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR SW PNP 15V 200MA TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5771_D27Z

2N5771_D27Z

  • 2n5771.d27z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR SW PNP 15V 200MA TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5771

2N5771

  • 2n5771
  • Fairchild Semiconductor
  • IC TRANS PNP SS HS 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5771_D26Z

2N5771_D26Z

  • 2n5771.d26z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR SW PNP 15V 200MA TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5769

2N5769

  • 2n5769
  • Fairchild Semiconductor
  • IC TRANS NPN SS HS 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5686G

2N5686G

  • 2n5686g
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN PWR GP 50A 80V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5684G

2N5684G

  • 2n5684g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PNP PWR GP 50A 80V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5684

2N5684

  • 2n5684
  • ON Semiconductor
  • TRANS PNP PWR GP 50A 80V TO3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5680

2N5680

  • 2n5680
  • Fairchild Semiconductor
  • PNP 120V 1A 10W /2N5682 COMPLMT

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5657

2N5657

  • 2n5657
  • STMicroelectronics
  • TRANSISTOR NPN 375V 0.5A SOT-32 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5655

2N5655

  • 2n5655
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN PWR 0.5A 250V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5657G

2N5657G

  • 2n5657g
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN PWR 0.5A 350V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5655G

2N5655G

  • 2n5655g
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN PWR 0.5A 250V TO225AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5582

2N5582

  • 2n5582
  • MOTOROLA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5581

2N5581

  • 2n5581
  • MOTOROLA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5551_J18Z

2N5551_J18Z

  • 2n5551.j18z
  • Fairchild Semiconductor
  • AMP GP NPN 160V 600MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5551_J61Z

2N5551_J61Z

  • 2n5551.j61z
  • Fairchild Semiconductor
  • AMP GP NPN 160V 600MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5551_J05Z

2N5551_J05Z

  • 2n5551.j05z
  • Fairchild Semiconductor
  • AMP GP NPN 160V 600MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5551ZL1

2N5551ZL1

  • 2n5551zl1
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для 2N5551ZL1G

2N5551ZL1G

  • 2n5551zl1g
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь