Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
APTCV40H60CT1G
- aptcv40h60ct1g
- Microsemi-PPG
- IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 3.15nF @ 25V · Мощность макcимальная: 176W · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF150H120G
- aptgf150h120g
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 350µA · Емкость @ Vce: 10.2nF @ 25V · Мощность макcимальная: 961
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF100DU120TG
- aptgf100du120tg
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 135A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 350µA · Емкость @ Vce: 6.9nF @ 25V · Мощность макcимальная: 568W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTCV50H60T3G
- aptcv50h60t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 3.15nF @ 25V · Мощность макcимальная: 176W · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT300A120G
- aptgt300a120g
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 420A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Емкость @ Vce: 21nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1380
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VWI3X20-06P1
- vwi3x20.06p1
- IXYS
- MODULE IGBT 3X20A 600V ECO-PAC1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Ток коллектора (макс): 20A · Вход: Стандарт · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ECO-PAC1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VWI15-12P1
- vwi15.12p1
- IXYS
- MODULE IGBT 18A 1200V ECO-PAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Емкость @ Vce: 0.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 90Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VWI20-06P1
- vwi20.06p1
- IXYS
- MODULE IGBT 19A 600V ECO-PAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 19A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 0.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 73W · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VWI6-12P1
- vwi6.12p1
- IXYS
- MODULE IGBT 6PACK 1200V ECO-PAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.6V @ 15V, 4A · Ток коллектора (макс): 6A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Емкость @ Vce: 0.205nF @ 25V · Мощность макcимальная: 40Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VWI35-06P1
- vwi35.06p1
- IXYS
- MODULE IGBT 31A 600V ECO-PAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 31A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 1.1nF @ 25V · Мощность макcимальная: 100Вт · В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VS-GB75YF120N
- vs.gb75yf120n
- VISHAY
- Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 75 Amp
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VS-GB05XP120KTPBF
- vs.gb05xp120ktpbf
- VISHAY
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 12 Amp
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VS-GB15XP120KTPBF
- vs.gb15xp120ktpbf
- VISHAY
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 30 Amp
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VS-GA200SA60SP
- vs.ga200sa60sp
- VISHAY
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 100A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VS-GA200HS60S1PBF
- vs.ga200hs60s1pbf
- VISHAY
- Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Volt 200 Amp
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VS-CPV364M4KPBF
- vs.cpv364m4kpbf
- VISHAY
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 13 Amp
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VS-CPV364M4FPBF
- vs.cpv364m4fpbf
- Vishay
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 15 Amp
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VKI75-06P1
- vki75.06p1
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 600V ECO-PAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 69A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA · Емкость @ Vce: 2.8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 208W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VKI50-12P1
- vki50.12p1
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 1200V ECO-PAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 49A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.1mA · Емкость @ Vce: 1.65nF @ 25V · Мощность макcимальная: 208W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VKI50-06P1
- vki50.06p1
- IXYS
- MOD IGBT H-BRIDGE 600V ECO-PAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 42.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 16nF @ 25V · Мощность макcимальная: 130Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК