Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
VII25-06P1
- vii25.06p1
- IXYS
- MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 24.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA · Емкость @ Vce: 8nF @ 25V · Мощность макcимальная: 82Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VII130-06P1
- vii130.06p1
- IXYS
- MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 130A · Ток коллектора (макс): 121A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.2mA · Емкость @ Vce: 4.2nF @ 25V · Мощность макcимальная: 379W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGE50NC60WD
- stge50nc60wd
- STMicroelectronics
- IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 260Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGE50NC60VD
- stge50nc60vd
- STMicroelectronics
- IGBT 50A 600V ISOTOP Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 260Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGE50NB60HD
- stge50nb60hd
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGE200N60K
- stge200n60k
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600 V BiPolar ISOTOP Parall Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGE200NB60S
- stge200nb60s
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 600W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STG3P2M10N60B
- stg3p2m10n60b
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 19A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Емкость @ Vce: 0.72nF @ 25V · Мощность макcимальная: 56Вт · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QIS4506002
- qis4506002
- Powerex Inc
- IGBT MOD SINGLE 4500V 60A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 67A · Ток коллектора (макс): 60A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QIS4506001
- qis4506001
- Powerex Inc
- IGBT MOD SINGLE 4500V 60A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 67A · Ток коллектора (макс): 60A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI80-12T6K
- mwi80.12t6k
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 3.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 270Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI75-12T8T
- mwi75.12t8t
- IXYS
- IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Емкость @ Vce: 5.35nF @ 25V · Мощность макcимальная: 360W · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI75-12T7T
- mwi75.12t7t
- IXYS
- IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 4mA · Емкость @ Vce: 5.35nF @ 25V · Мощность макcимальная: 355W · Вх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI75-12E8
- mwi75.12e8
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 130A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.1mA · Емкость @ Vce: 5.7nF @ 25V · Мощность макcимальная: 500W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI75-06A7T
- mwi75.06a7t
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 90A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.3mA · Емкость @ Vce: 3.2nF @ 25V · Мощность макcимальная: 280W · В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI75-12A8T
- mwi75.12a8t
- IXYS
- IGBT E9PACK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 125A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA · Емкость @ Vce: 5.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 500W · Вход: Стандарт · Кон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI75-12A8
- mwi75.12a8
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 125A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA · Емкость @ Vce: 5.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 500W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI75-06A7
- mwi75.06a7
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 90A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.3mA · Емкость @ Vce: 3.2nF @ 25V · Мощность макcимальная: 280W · В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI60-06G6K
- mwi60.06g6k
- IXYS
- MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Емкость @ Vce: 2.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 180W · Вход:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MWI60-12T6K
- mwi60.12t6k
- IXYS
- MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 58A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Емкость @ Vce: 2.53nF @ 25V · Мощность макcимальная: 200Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК