Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
APT35GP120J
- apt35gp120j
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 64A · Мощность макcимальная: 284W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT35GP120JDQ2
- apt35gp120jdq2
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 64A · Мощность макcимальная: 284W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT30GP60JDQ1
- apt30gp60jdq1
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 67A 245W SOT227 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 67A · Мощность макcимальная: 245W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT200GN60JG
- apt200gn60jg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 283A 682W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 283A · Мощность макcимальная: 682W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT200GN60JDQ4G
- apt200gn60jdq4g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 283A 682W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 283A · Мощность макcимальная: 682W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT150GN60JDQ4
- apt150gn60jdq4
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 220A 536W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 220A · Мощность макcимальная: 536W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT150GN60J
- apt150gn60j
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 220A 536W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 220A · Мощность макcимальная: 536W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT150GN120J
- apt150gn120j
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 215A 625W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 215A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT100GT60JR
- apt100gt60jr
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 148A 500W SOT227 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 148A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT100GN120J
- apt100gn120j
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 153A 446W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 153A · Мощность макcимальная: 446W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75X60T3G
- aptgt75x60t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 4.62nF @ 25V · Мощность макcимальная: 250Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGV75H60T3G
- aptgv75h60t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 4.62nF @ 25V · Мощность макcимальная: 250Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75SK120D1G
- aptgt75sk120d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 110A 357W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 357W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75DA170D1G
- aptgt75da170d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 120A 520W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 120A · Мощность макcимальная: 520W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75SK170D1G
- aptgt75sk170d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 120A 520W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 120A · Мощность макcимальная: 520W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75DA120D1G
- aptgt75da120d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 110A 357W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 357W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT600U120D4G
- aptgt600u120d4g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 900A 2500W D4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 900A · Мощность макcимальная: 2500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75A120D1G
- aptgt75a120d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 4mA · Емкость @ Vce: 5345nF @ 25V · Мощность макcимальная: 357W · Вх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75A170D1G
- aptgt75a170d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 120A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA · Емкость @ Vce: 6.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 520W · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT600U170D4G
- aptgt600u170d4g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 1100A 2900W D4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 1100A · Мощность макcимальная: 2900W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК