Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
APTGT600SK60G
- aptgt600sk60g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 700A 2300W SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 700A · Мощность макcимальная: 2300W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT600A60G
- aptgt600a60g
- Microsemi-PPG
- POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 700A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA · Емкость @ Vce: 49nF @ 25V · Мощность макcимальная: 2300W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT600DA60G
- aptgt600da60g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 700A 2300W SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 700A · Мощность макcимальная: 2300W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50DA170D1G
- aptgt50da170d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 70A 310W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 310W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50X60T3G
- aptgt50x60t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH 3PHA BRIDGE SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 3.15nF @ 25V · Мощность макcимальная: 176W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50SK120D1G
- aptgt50sk120d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 75A 270W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50A170D1G
- aptgt50a170d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 70A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 6mA · Емкость @ Vce: 4.4nF @ 25V · Мощность макcимальная: 310W · Вход
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50DA120D1G
- aptgt50da120d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 75A 270W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50SK170D1G
- aptgt50sk170d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 70A 310W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 310W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50A120D1G
- aptgt50a120d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA · Емкость @ Vce: 3.6nF @ 25V · Мощность макcимальная: 270Вт · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT450A60G
- aptgt450a60g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A · Ток коллектора (макс): 550A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Емкость @ Vce: 37nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1750W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT400A120D3G
- aptgt400a120d3g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 580A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA · Емкость @ Vce: 29nF @ 25V · Мощность макcимальная: 2100W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT400A120G
- aptgt400a120g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 560A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA · Емкость @ Vce: 28nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1785W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT400U120D4G
- aptgt400u120d4g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 600A 2250W D4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 600A · Мощность макcимальная: 2250W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT400U170D4G
- aptgt400u170d4g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 800A 2080W D4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 800A · Мощность макcимальная: 2080W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT35SK120D1G
- aptgt35sk120d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 55A 205W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 55A · Мощность макcимальная: 205Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT35DA120D1G
- aptgt35da120d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 55A 205W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 55A · Мощность макcимальная: 205Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT35A120D1G
- aptgt35a120d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 55A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA · Емкость @ Vce: 2.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 205Вт · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT30SK170D1G
- aptgt30sk170d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 45A 210W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 210Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT30DA170D1G
- aptgt30da170d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 45A 210W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 45A · Мощность макcимальная: 210Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК