Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
APT30GN60BDQ2G
- apt30gn60bdq2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 63A 203W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 63A · Мощность макcимальная: 203W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT25GT120BRG
- apt25gt120brg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 54A 347W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 347W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT25GP90BG
- apt25gp90bg
- Microsemi-PPG
- IGBT 900V 72A 417W TO247 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 72A · Мощность макcимальная: 417W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT25GP90BDQ1G
- apt25gp90bdq1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 900V 72A 417W TO247 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 72A · Мощность макcимальная: 417W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT25GT120BRDQ2G
- apt25gt120brdq2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 54A 347W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 54A · Мощность макcимальная: 347W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT25GP120BDQ1G
- apt25gp120bdq1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 69A 417W TO247 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 69A · Мощность макcимальная: 417W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT25GP120BG
- apt25gp120bg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 69A 417W TO247 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 69A · Мощность макcимальная: 417W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT25GN120BG
- apt25gn120bg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 67A 272W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 67A · Мощность макcимальная: 272W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT25GN120B2DQ2G
- apt25gn120b2dq2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 67A 272W TMAX Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 67A · Мощность макcимальная: 272W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: T-MAX
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT20GN60BG
- apt20gn60bg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 40A 136W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 136W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT20GT60BRG
- apt20gt60brg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 43A 174W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 43A · Мощность макcимальная: 174W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT20GT60BRDQ1G
- apt20gt60brdq1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 43A 174W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 43A · Мощность макcимальная: 174W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT20GN60BDQ1G
- apt20gn60bdq1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 40A 136W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 136W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT20GF120BRG
- apt20gf120brg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 32A 200W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 32A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT20GF120BRDQ1G
- apt20gf120brdq1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 36A 200W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 36A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT15GT60KRG
- apt15gt60krg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 42A 184W TO220 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 42A · Мощность макcимальная: 184W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT15GT60BRDQ1G
- apt15gt60brdq1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 42A 184W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 42A · Мощность макcимальная: 184W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT15GT60BRG
- apt15gt60brg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 42A 184W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 42A · Мощность макcимальная: 184W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT15GT120BRG
- apt15gt120brg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 36A 250W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 36A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through H
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT15GT120BRDQ1G
- apt15gt120brdq1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 36A 250W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 36A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through H
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК