Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
CY25BAJ-8F
- cy25baj.8f
- Renesas Technology America
- IGBT N-CH 400V 150A 8TSSOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 4V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXYP10N65C3D1
- ixyp10n65c3d1
- IXYS [IXYS Corporation]
- Optimized for 20-60kHz Switchin
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUP213
- bup213
- Infineon Technologies
- IGBT 1200V 32A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 32A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GN120LG
- apt75gn120lg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 200A 833W TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 833W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GN60BG
- apt75gn60bg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 155A 536W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 155A · Мощность макcимальная: 536W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GP120B2G
- apt75gp120b2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 1042W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GN60B2DQ3G
- apt75gn60b2dq3g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 155A 536W TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 155A · Мощность макcимальная: 536W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GN120B2G
- apt75gn120b2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 200A 833W TMAX Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 833W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: T-MAX
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT65GP60L2DQ2G
- apt65gp60l2dq2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 198A 833W TO264 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A · Ток коллектора (макс): 198A · Мощность макcимальная: 833W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT65GP60B2G
- apt65gp60b2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 100A 833W TMAX Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 833W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60GT60BRG
- apt60gt60brg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 100A 500W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GT60BRG
- apt50gt60brg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 110A 446W TO247 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 446W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GP60BG
- apt50gp60bg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 100A 625W TO247 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GN120L2DQ2G
- apt50gn120l2dq2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 134A 543W TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 134A · Мощность макcимальная: 543W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GN120B2G
- apt50gn120b2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 134A 543W TMAX Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 134A · Мощность макcимальная: 543W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: T-MAX
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GN60BDQ2G
- apt50gn60bdq2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 107A 366W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 107A · Мощность макcимальная: 366W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GP60B2DQ2G
- apt50gp60b2dq2g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 150A 625W TMAX Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 150A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GN60BG
- apt50gn60bg
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 107A 366W TO247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 107A · Мощность макcимальная: 366W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GF120B2RG
- apt50gf120b2rg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 156A 781W TMAX Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 156A · Мощность макcимальная: 781W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: T-MAX
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GF120LRG
- apt50gf120lrg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 156A 781W TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 156A · Мощность макcимальная: 781W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК