Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
SGL50N60RUFTU
- sgl50n60ruftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT W/DIODE 100V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGL50N60RUFDTU
- sgl50n60rufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 80A 600V W/DIODE TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGL160N60UFDTU
- sgl160n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A · Ток коллектора (макс): 160A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGL160N60UFTU
- sgl160n60uftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT ULTRA FAST 600V 80A TO-3PF Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A · Ток коллектора (макс): 160A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGL40N150TU
- sgl40n150tu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 1500V 40A COPAK TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGL40N150DTU
- sgl40n150dtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT 1500V 40A COPAK TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGI02N120
- sgi02n120
- INFINEON
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH80N60UFTU
- sgh80n60uftu
- Fairchild Semiconductor, FAIR
- IGBT HI PERFORM 00V 40A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 195Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH80N60UFDTU
- sgh80n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor, FAIR
- IGBT HI PERFORM 100V 28A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 195Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH40N60UFTU
- sgh40n60uftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH40N60UFDTU
- sgh40n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH40N60UFDM1TU
- sgh40n60ufdm1tu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH23N60UFDTU
- sgh23n60ufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT HI PERFORM 600V 12A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 23A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH30N60RUFDTU
- sgh30n60rufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 48A · Мощность макcимальная: 235W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH30N60RUFTU
- sgh30n60ruftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 48A · Мощность макcимальная: 235W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH20N60RUFDTU
- sgh20n60rufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SHORT CIRC 600V 20A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 32A · Мощность макcимальная: 195Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH15N60RUFTU
- sgh15n60ruftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 24A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH15N60RUFDTU
- sgh15n60rufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 24A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGH10N60RUFDTU
- sgh10n60rufdtu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT SHORT CIRC 600V 10A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 16A · Мощность макcимальная: 75Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P-3 (S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SGF5N150UFTU
- sgf5n150uftu
- Fairchild Semiconductor
- IGBT HI PERFORM 1500V 5A TO-3PF Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1500V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 62.5W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3PF-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК