Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
STGW50NC60W
- stgw50nc60w
- STMicroelectronics, ST
- IGBT N-CH 600V 55A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 285W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Ко
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGW35NC120HD
- stgw35nc120hd
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 35A 1200V TO-247 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 235W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGPL6NC60D
- stgpl6nc60d
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 6A 600V TO-220 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 56Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGP8NC60K
- stgp8nc60k
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 8A 600V TO-220 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 65Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGFL6NC60D
- stgfl6nc60d
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 6A 600V TO-220FP Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 7A · Мощность макcимальная: 22Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGF8NC60KD
- stgf8nc60kd
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 8A 600V TO-220FP Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 7A · Мощность макcимальная: 24Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Кор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGD8NC60KT4
- stgd8nc60kt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 8A 600V DPAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 62Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGD8NC60KDT4
- stgd8nc60kdt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 8A 600V DPAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 62Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGBL6NC60DT4
- stgbl6nc60dt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 6A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 56Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB8NC60KT4
- stgb8nc60kt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 8A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 65Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJH60D7DPQ-E0#T2
- rjh60d7dpq.e0.t2
- RENESAS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGP15N41CL
- ngp15n41cl
- ON Semiconductor
- IGBT N-CHAN 15A 410V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 107W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Stra
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGP15N41CLG
- ngp15n41clg
- ON Semiconductor
- IGBT N-CHAN 15A 410V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 107W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Stra
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGD8201NT4G
- ngd8201nt4g
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGD8205NT4G
- ngd8205nt4g
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGD8205NT4
- ngd8205nt4
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGD8201NT4
- ngd8201nt4
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGD8201ANT4G
- ngd8201ant4g
- ON Semiconductor, ST
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGD18N40CLBT4G
- ngd18n40clbt4g
- ON Semiconductor
- IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 115W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGD18N40CLBT4
- ngd18n40clbt4
- ON Semiconductor
- IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 115W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК