Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
NGD15N41CLT4G
- ngd15n41clt4g
- ON Semiconductor
- IGBT N-CHAN 15A 410V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 107W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8207ANT4G
- ngb8207ant4g
- ON Semiconductor
- Контроллеры и драйверы двигателей / движения / зажигания NGB8207ANT4G GEN3 IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGD15N41CLT4
- ngd15n41clt4
- ON Semiconductor
- IGBT N-CHAN 15A 410V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 107W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8206NT4
- ngb8206nt4
- ON Semiconductor
- IGBT IGNITION 20A 350V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGD15N41ACLT4G
- ngd15n41aclt4g
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 15 A, 410 V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8206NTF4
- ngb8206ntf4
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT NCHAN 20A 400V D2PAK3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8207NT4G
- ngb8207nt4g
- ON Semiconductor
- IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 365V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 4V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 165Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8206NG
- ngb8206ng
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8206N
- ngb8206n
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 390V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB18N40CLBT4
- ngb18n40clbt4
- ON Semiconductor
- IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 115W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8204NT4G
- ngb8204nt4g
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 115W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pa
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8202NT4
- ngb8202nt4
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8202NT4G
- ngb8202nt4g
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB18N40CLBT4G
- ngb18n40clbt4g
- ON Semiconductor
- IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 115W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB8204NT4
- ngb8204nt4
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 115W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pa
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB15N41ACLT4G
- ngb15n41aclt4g
- ON Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NGB15N41CLT4
- ngb15n41clt4
- ON Semiconductor
- IGBT N-CHAN 15A 410V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 107W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGP15N40CLG
- mgp15n40clg
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CH 15A 410V T0220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 4V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGP15N40CL
- mgp15n40cl
- ON Semiconductor
- IGBT IGNIT N-CH 15A 410V T0220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 4V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MGB15N40CLT4
- mgb15n40clt4
- ON Semiconductor
- IGBT IGNITION 410V 15A D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 4V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК