Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXGR24N120C3D1
- ixgr24n120c3d1
- IXYS
- IGBT PT 1200V 48A DIO ISOPLUS247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 48A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR12N60C
- ixgr12n60c
- IXYS
- IGBT 24A 600V ISOPLUS247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 55Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR24N120C3H1
- ixgr24n120c3h1
- IXYS
- IGBT 48A 1200V ISOPLUS247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Ток коллектора (макс): 48A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS247™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR120N60B
- ixgr120n60b
- IXYS
- IGBT FAST 600V 156A ISOPLUS247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 156A · Мощность макcимальная: 520W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ96N30TCD1
- ixgq96n30tcd1
- IXYS
- IGBT 96A 320V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 320V · Ток коллектора (макс): 96A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ96N30TBD1
- ixgq96n30tbd1
- IXYS
- IGBT 42A 300V TO-263AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 320V · Ток коллектора (макс): 96A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ90N33TCD1
- ixgq90n33tcd1
- IXYS
- IGBT 330V 90A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Ток коллектора (макс): 90A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ90N33TC
- ixgq90n33tc
- IXYS
- IGBT 330V 90A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 45A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ90N27PB
- ixgq90n27pb
- IXYS
- IGBT HIGH SPEED TO-3P Серия: Polar™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 270V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 90A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ28N120B
- ixgq28n120b
- IXYS
- IGBT 1200V 50A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ28N120BD1
- ixgq28n120bd1
- IXYS
- IGBT 1200V 50A FRD TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ240N30PB
- ixgq240n30pb
- IXYS
- IGBT 240A 300V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 240A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ30N60C2D4
- ixgq30n60c2d4
- IXYS
- IGBT 30A 600V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Ток коллектора (макс): 30A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ35N120BD1
- ixgq35n120bd1
- IXYS
- IGBT 1200V 75A FRD TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 400Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ85N33PCD1
- ixgq85n33pcd1
- IXYS
- IGBT W/FAST REC DIODE TO-3P Серия: Polar™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 85A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ20N120BD1
- ixgq20n120bd1
- IXYS
- IGBT 1200V FRD TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ200N30PB
- ixgq200n30pb
- IXYS
- IGBT 400A 300V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 400A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ20N120B
- ixgq20n120b
- IXYS
- IGBT 40A 1200V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ180N33TCD1
- ixgq180n33tcd1
- IXYS
- IGBT 180A 330V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Ток коллектора (макс): 180A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ180N33TC
- ixgq180n33tc
- IXYS
- IGBT 180A 330V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Ток коллектора (макс): 180A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК