Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXGQ150N30TC
- ixgq150n30tc
- IXYS
- IGBT 150A 300V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 150A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP7N60C
- ixgp7n60c
- IXYS
- IGBT 600V HI SPEED TO-220 Серия: HiPerFAST™, Lightspeed 2™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 54Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Thro
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ150N30TCD1
- ixgq150n30tcd1
- IXYS
- IGBT 150A 300V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 150A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ120N30TCD1
- ixgq120n30tcd1
- IXYS
- IGBT 120A 300V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 120A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGQ170N30PB
- ixgq170n30pb
- IXYS
- IGBT 170A 300V TO-3P Серия: Polar™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 85A · Ток коллектора (макс): 170A · Мощность макcимальная: 330W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP7N60CD1
- ixgp7n60cd1
- IXYS
- IGBT 600V FRD TO-220 Серия: HiPerFAST™, Lightspeed 2™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 75Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through H
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP90N33TCM-A
- ixgp90n33tcm.a
- IXYS
- IGBT 330V 40A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Ток коллектора (макс): 40A · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP8N100
- ixgp8n100
- IXYS
- IGBT 1000V 16A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 8A · Ток коллектора (макс): 16A · Мощность макcимальная: 54Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP7N60BD1
- ixgp7n60bd1
- IXYS
- IGBT 600V 14A FRD TO-220 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP7N60B
- ixgp7n60b
- IXYS
- IGBT 600V 14A TO-220 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 54Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP50N33TBM-A
- ixgp50n33tbm.a
- IXYS
- IGBT 330V 30A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 50Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP70N33TBM-A
- ixgp70n33tbm.a
- IXYS
- IGBT 330V TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP30N60C3
- ixgp30n60c3
- IXYS
- IGBT 60A 600V TO-220AB Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 220Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP48N60C3
- ixgp48n60c3
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP30N60C3C1
- ixgp30n60c3c1
- IXYS
- IGBT C3 30A 600V TO-220 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 220Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP30N60C3D4
- ixgp30n60c3d4
- IXYS
- IGBT 600V TO-220AB Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 220Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP4N100
- ixgp4n100
- IXYS
- IGBT 8A 1000V TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 4A · Ток коллектора (макс): 8A · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP42N30C3
- ixgp42n30c3
- IXYS
- IGBT 42A 300V TO-220AB Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 42A · Ток коллектора (макс): 42A · Мощность макcимальная: 223W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: T
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP30N60C2
- ixgp30n60c2
- IXYS
- IGBT 600V 70A TO-220 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGP30N60B4D1
- ixgp30n60b4d1
- IXYS
- Tube
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК