Биполярные транзисторы - Сборки
Всего товаров: 1170
MBT3904DW2T1
- mbt3904dw2t1
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MBT3904DW2T1G
- mbt3904dw2t1g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MBT3904DW1T3G
- mbt3904dw1t3g
- ON Semiconductor
- TRANS GP DUAL 200MA 40V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MBT3904DW1T1
- mbt3904dw1t1
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MBT3904DW1T1G
- mbt3904dw1t1g
- ON Semiconductor
- TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MBT2222ADW1T1G
- mbt2222adw1t1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN GP 600MA 40V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT14ARZ
- mat14arz
- ANALOG DEVICES
- SOIC 14/I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT14ARZ-RL
- mat14arz.rl
- ANALOG DEVICES
- SOIC 14/I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT12AHZ
- mat12ahz
- ANALOG DEVICES
- TO78-6/I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT03FHZ
- mat03fhz
- Analog Devices
- IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT03FH
- mat03fh
- Analog Devices
- IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through H
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT03EHZ
- mat03ehz
- Analog Devices
- IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT03EH
- mat03eh
- Analog Devices
- IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT01GHZ
- mat01ghz
- Analog Devices
- TRANS MATCHED MONO DUAL TO-78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 0.1mA, 1mA · Ток коллектора (макс): 25mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400pA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция ча
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT01GH
- mat01gh
- Analog Devices
- IC TX MATCHED MONO DUAL TO-78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400pA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT01AHZ
- mat01ahz
- Analog Devices
- IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 25mA · Мощность макcимальная: 1.8W · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MAT01AH
- mat01ah
- Analog Devices
- IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы в сборках представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов в одном корпусе. Эти сборки предназначены для использования в различных электронных схемах, обеспечивая высокую надежность, эффективность и компактность. Биполярные транзисторы широко применяются для усиления, переключения и управления электрическими сигналами в различных областях электроники.
Применение
Биполярные транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях техники и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются для усиления сигналов в аудио-устройствах, радиопередатчиках и телевизорах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Силовая электроника: входят в состав преобразователей напряжения и источников питания для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: используются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления и контроля в автомобильных системах.
- Индукционные нагреватели: используются в схемах управления индукционными нагревательными устройствами.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Биполярные транзисторы в сборках играют критическую роль для инженеров и разработчиков, предоставляя стабильное и точное управление электрическими сигналами в множестве приложений. Эти сборки, обладая превосходными характеристиками и широкой сферой применения, востребованы в самых различных секторах электроники и электротехники. Их использование обеспечивает надежную и эффективную работу многих современных устройств.
Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и способность управлять большими токами, что делает их идеальными для применения в усилительных и коммутирующих схемах. Благодаря своим компактным размерам и высокой степени интеграции, они легко внедряются в сложные конструкции и системы.
Высокая надежность и долговечность этих компонентов гарантирует стабильную работу оборудования даже в самых требовательных условиях эксплуатации, что делает их незаменимыми для разработки высокотехнологичных решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК