Биполярные транзисторы - Сборки
Всего товаров: 1170
IMZ4T108
- imz4t108
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN/PNP 32V 500MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMZ2AT108
- imz2at108
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN/PNP 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMZ1AT108
- imz1at108
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN/PNP 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMX5T108
- imx5t108
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL NPN 11V 50MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 11В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMX8T108
- imx8t108
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL NPN 120V 50MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMX4T108
- imx4t108
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL NPN 20V 50MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 27 @ 10mA, 10V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMX3T108
- imx3t108
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMX2T108
- imx2t108
- Rohm Semiconductor
- RANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMX17T110
- imx17t110
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL NPN 50V 500MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMX1T110
- imx1t110
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMT4T108
- imt4t108
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 120V 50MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMT3AT108
- imt3at108
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMT17T110
- imt17t110
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 500MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMT1AT110
- imt1at110
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы в сборках представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов в одном корпусе. Эти сборки предназначены для использования в различных электронных схемах, обеспечивая высокую надежность, эффективность и компактность. Биполярные транзисторы широко применяются для усиления, переключения и управления электрическими сигналами в различных областях электроники.
Применение
Биполярные транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях техники и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются для усиления сигналов в аудио-устройствах, радиопередатчиках и телевизорах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Силовая электроника: входят в состав преобразователей напряжения и источников питания для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: используются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления и контроля в автомобильных системах.
- Индукционные нагреватели: используются в схемах управления индукционными нагревательными устройствами.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Биполярные транзисторы в сборках играют критическую роль для инженеров и разработчиков, предоставляя стабильное и точное управление электрическими сигналами в множестве приложений. Эти сборки, обладая превосходными характеристиками и широкой сферой применения, востребованы в самых различных секторах электроники и электротехники. Их использование обеспечивает надежную и эффективную работу многих современных устройств.
Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и способность управлять большими токами, что делает их идеальными для применения в усилительных и коммутирующих схемах. Благодаря своим компактным размерам и высокой степени интеграции, они легко внедряются в сложные конструкции и системы.
Высокая надежность и долговечность этих компонентов гарантирует стабильную работу оборудования даже в самых требовательных условиях эксплуатации, что делает их незаменимыми для разработки высокотехнологичных решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК