Биполярные транзисторы - Сборки
Всего товаров: 1170
EMX5T2R
- emx5t2r
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL NPN 11V 50MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 11В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMX1T2R
- emx1t2r
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL NPN 50V 150MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMX18T2R
- emx18t2r
- Rohm Semiconductor
- TRANS COMPLEX DUAL NPN 12V EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMT3T2R
- emt3t2r
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 150MA EMT6 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMT2T2R
- emt2t2r
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 150MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMT1T2R
- emt1t2r
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 150MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
E-ULQ2003D1
- e.ulq2003d1
- STMicroelectronics
- IC ARRAY SEVEN DARLINGTON 16SOIC Тип: Darlington Array · Количество приемо/передатчиков: 7/0 · Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
E-ULQ2003A
- e.ulq2003a
- STMicroelectronics
- IC ARRAY SEVEN DARLINGTON 16 DIP Тип: Darlington Array · Количество приемо/передатчиков: 7/0 · Корпус: 16-DIP (300 mil)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
E-ULN2004A
- e.uln2004a
- STMicroelectronics
- IC ARRAYS SEVEN DARL 16 DIP Тип: Darlington Array · Количество приемо/передатчиков: 7/0 · Корпус: 16-DIP (300 mil)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
E-ULN2001A
- e.uln2001a
- STMicroelectronics
- IC ARRAYS SEVEN DARL 16 DIP Тип: Darlington Array · Количество приемо/передатчиков: 7/0 · Корпус: 16-DIP (300 mil)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSV60100DMTWTBG
- nsv60100dmtwtbg
- ONSEMI [ON Semiconductor]
- Low VCE(sat) PNP Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMZ1DXV6T5
- emz1dxv6t5
- ON Semiconductor
- TRANS NPN GP/PNP DUAL SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMZ1DXV6T1
- emz1dxv6t1
- ON Semiconductor
- TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMZ1DXV6T5G
- emz1dxv6t5g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN GP/PNP DUAL SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMZ1DXV6T1G
- emz1dxv6t1g
- ON Semiconductor
- TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMX2DXV6T5
- emx2dxv6t5
- ON Semiconductor
- TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMX2DXV6T5G
- emx2dxv6t5g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMX1DXV6T1
- emx1dxv6t1
- ON Semiconductor
- TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EMX1DXV6T1G
- emx1dxv6t1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы в сборках представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов в одном корпусе. Эти сборки предназначены для использования в различных электронных схемах, обеспечивая высокую надежность, эффективность и компактность. Биполярные транзисторы широко применяются для усиления, переключения и управления электрическими сигналами в различных областях электроники.
Применение
Биполярные транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях техники и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются для усиления сигналов в аудио-устройствах, радиопередатчиках и телевизорах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Силовая электроника: входят в состав преобразователей напряжения и источников питания для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: используются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления и контроля в автомобильных системах.
- Индукционные нагреватели: используются в схемах управления индукционными нагревательными устройствами.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Биполярные транзисторы в сборках играют критическую роль для инженеров и разработчиков, предоставляя стабильное и точное управление электрическими сигналами в множестве приложений. Эти сборки, обладая превосходными характеристиками и широкой сферой применения, востребованы в самых различных секторах электроники и электротехники. Их использование обеспечивает надежную и эффективную работу многих современных устройств.
Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и способность управлять большими токами, что делает их идеальными для применения в усилительных и коммутирующих схемах. Благодаря своим компактным размерам и высокой степени интеграции, они легко внедряются в сложные конструкции и системы.
Высокая надежность и долговечность этих компонентов гарантирует стабильную работу оборудования даже в самых требовательных условиях эксплуатации, что делает их незаменимыми для разработки высокотехнологичных решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК