Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Биполярные транзисторы - Сборки

Всего товаров: 1170

Изображения для FMB3906

FMB3906

  • fmb3906
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 40V SSOT-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FMB2907A

FMB2907A

  • fmb2907a
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V SSOT-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FMB2222A

FMB2222A

  • fmb2222a
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN DUAL 40V SSOT-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcи

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FMB2227A

FMB2227A

  • fmb2227a
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN/PNP 30V SSOT-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FMB200

FMB200

  • fmb200
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 45V 500MA SSOT-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FFB5551

FFB5551

  • ffb5551
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN DUAL 160V SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FFB3906

FFB3906

  • ffb3906
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 40V SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FFB3904

FFB3904

  • ffb3904
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 40V SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FFB3946

FFB3946

  • ffb3946
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN/PNP 40V SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FFB2907A_D87Z

FFB2907A_D87Z

  • ffb2907a.d87z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FFB2907A

FFB2907A

  • ffb2907a
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FFB2227A

FFB2227A

  • ffb2227a
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN/PNP 30V SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcималь

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FFB2222A

FFB2222A

  • ffb2222a
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN DUAL 40V SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для EMZ7T2R

EMZ7T2R

  • emz7t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS COMPLEX BIPO NPN/PNP EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V · Мощность макcим

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для EMZ2T2R

EMZ2T2R

  • emz2t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS NPN/PNP 50V 150MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcи

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для EMZ1T2R

EMZ1T2R

  • emz1t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS NPN/PNP 50V 150MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcи

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для EMX4T2R

EMX4T2R

  • emx4t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS DUAL NPN 30V 50MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 27 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для EMY1T2R

EMY1T2R

  • emy1t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS DUAL PNP/NPN 50V EMT5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcим

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для EMX2T2R

EMX2T2R

  • emx2t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS DUAL NPN 50V 150MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для EMX3T2R

EMX3T2R

  • emx3t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS DUAL NPN 50V 150MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы в сборках представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов в одном корпусе. Эти сборки предназначены для использования в различных электронных схемах, обеспечивая высокую надежность, эффективность и компактность. Биполярные транзисторы широко применяются для усиления, переключения и управления электрическими сигналами в различных областях электроники.

Применение

Биполярные транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях техники и электроники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители мощности: используются для усиления сигналов в аудио-устройствах, радиопередатчиках и телевизорах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Силовая электроника: входят в состав преобразователей напряжения и источников питания для управления и стабилизации электрических сигналов.
  • Системы управления двигателями: используются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления и контроля в автомобильных системах.
  • Индукционные нагреватели: используются в схемах управления индукционными нагревательными устройствами.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Биполярные транзисторы в сборках играют критическую роль для инженеров и разработчиков, предоставляя стабильное и точное управление электрическими сигналами в множестве приложений. Эти сборки, обладая превосходными характеристиками и широкой сферой применения, востребованы в самых различных секторах электроники и электротехники. Их использование обеспечивает надежную и эффективную работу многих современных устройств.

Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и способность управлять большими токами, что делает их идеальными для применения в усилительных и коммутирующих схемах. Благодаря своим компактным размерам и высокой степени интеграции, они легко внедряются в сложные конструкции и системы.

Высокая надежность и долговечность этих компонентов гарантирует стабильную работу оборудования даже в самых требовательных условиях эксплуатации, что делает их незаменимыми для разработки высокотехнологичных решений.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь