Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APT10035JFLL
- apt10035jfll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10035JLL
- apt10035jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10021JLL
- apt10021jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 18.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 395nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10021JFLL
- apt10021jfll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 18.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 395nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APL602J
- apl602j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 21.5A, 12V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9000pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standa
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APL502J
- apl502j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 26A, 12V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9000pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APL1001J
- apl1001j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM50HM75STG
- aptm50hm75stg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD FULL BRDG SER/PAR SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 46A · Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM120VDA57T3G
- aptm120vda57t3g
- MICROSEMI
- DO240AR/POWER MODULE - MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM20SKM04G
- aptm20skm04g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 200V 372A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 372A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28900pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DHM09TG
- aptm10dhm09tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Ток @ 25°C: 139A · Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V · Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM10DHM09T3G
- aptm10dhm09t3g
- MICROSEMI
- SP3/Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100DA18TG
- aptm100da18tg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 372nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10400pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100DA18T1G
- aptm100da18t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 570nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14800pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTM100A13SCG
- aptm100a13scg
- Microsemi-PPG
- PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 562nC @ 10V · Ток @ 25°C: 65A · Емкость @ Vds: 15200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Ст
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTJC120AM13VCT1AG
- aptjc120am13vct1ag
- MICROSEMI
- SP1/
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60SKM24CT1G
- aptc60skm24ct1g
- MICROSEMI
- SP1/Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60DAM24T1G
- aptc60dam24t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 95A SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 95A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14400pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60DAM24CT1G
- aptc60dam24ct1g
- MICROSEMI
- SP1/Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTC60AM24T1G
- aptc60am24t1g
- Microsemi-PPG
- MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Ток @ 25°C: 95A · Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК