Полевые транзисторы - Модули
Всего товаров: 661
APT55M50JFLL
- apt55m50jfll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 38.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 77A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT58M80J
- apt58m80j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 570nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 17550pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT55M65JFLL
- apt55m65jfll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 31.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 205nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5510JFLL
- apt5510jfll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 58
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT53F80J
- apt53f80j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 570nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 17
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT51M50J
- apt51m50j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11600pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M65JLL
- apt50m65jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 141nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 701
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M65JFLL
- apt50m65jfll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 141nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 701
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M50JLL
- apt50m50jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 35.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 71A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M38JLL
- apt50m38jll
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT47M60J
- apt47m60j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 47A SOT-227 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT45M100J
- apt45m100j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 570nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18500pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT41F100J
- apt41f100j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 570nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18500pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT40M70JVFR
- apt40m70jvfr
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 26.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 495nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT40M35JVFR
- apt40m35jvfr
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 46.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1065nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT39M60J
- apt39m60j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT38M50J
- apt38m50j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT34M120J
- apt34m120j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18200pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT32F120J
- apt32f120j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT32M80J
- apt32m80j
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 32A SOT-227 Серия: POWER MOS 8™ · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Chassis Mount · Package / Case: SOT-227
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в модулях представляют собой интегрированные устройства, объединяющие несколько полевых транзисторов в одном корпусе для выполнения функций управления электрическими сигналами и мощностью.
Эти модули обеспечивают высокую производительность и надежность, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях. Полевые транзисторы в модулях отличаются высокой плотностью мощности и эффективностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных и мощных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в модулях находят широкое применение в различных отраслях промышленности и техники.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Инверторы: применяются в солнечных энергетических системах для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток.
- Силовые источники питания: обеспечивают стабилизацию и регулирование напряжения в мощных источниках питания для различных электронных устройств.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации производственных процессов для повышения эффективности и надежности.
Совместимость
Полевые транзисторы в модулях совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Полевые транзисторы, встроенные в модули, являются ключевыми элементами для инженеров и разработчиков. Эти компоненты обеспечивают стабильное управление электрическими сигналами и мощностью, что особенно важно в различных технических устройствах.
Благодаря своей высокой эффективности и универсальности, такие модули находят применение в многочисленных отраслях, включая телекоммуникации, автомобилестроение, энергетику и бытовую электронику. Они помогают улучшить производительность, надежность и долговечность оборудования, что делает их незаменимыми в современном мире технологий.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК