Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BUK7Y18-75B,115
- buk7y18.75b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7Y08-40B,115
- buk7y08.40b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7Y102-100B,115
- buk7y102.100b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7Y07-30B,115
- buk7y07.30b.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7E4R3-75C,127
- buk7e4r3.75c.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 75V I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 142nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1165
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7E04-40A,127
- buk7e04.40a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 40V I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5730p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7E2R7-30B,127
- buk7e2r7.30b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6212pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7E2R3-40C,127
- buk7e2r3.40c.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 40V I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1132
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7E11-55B,127
- buk7e11.55b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2604pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7C10-75AITE,118
- buk7c10.75aite.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 121nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7C08-55AITE,118
- buk7c08.55aite.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 116nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7C06-40AITE,118
- buk7c06.40aite.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7909-75AIE,127
- buk7909.75aie.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 121nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7909-75ATE,127
- buk7909.75ate.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 121nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK794R1-40BT,127
- buk794r1.40bt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 83nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6808pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7908-40AIE,127
- buk7908.40aie.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3140pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7907-55ATE,127
- buk7907.55ate.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 116nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7905-40AIE,127
- buk7905.40aie.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 127nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7907-55AIE,127
- buk7907.55aie.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 116nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7907-40ATC,127
- buk7907.40atc.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 108nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК