Полевые транзисторы - Одиночные, страница 1045
Всего товаров: 22220
BUK9508-55B,127
- buk9508.55b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5280pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9509-40B,127
- buk9509.40b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9507-30B,127
- buk9507.30b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3373pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9506-75B,127
- buk9506.75b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11693pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9506-40B,127
- buk9506.40b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4901pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9506-55A,127
- buk9506.55a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9506-55B,127
- buk9506.55b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7565pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9505-30A,127
- buk9505.30a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9504-40A,127
- buk9504.40a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 128nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8260pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9245-55A,118
- buk9245.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 28A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1006pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9277-55A,118
- buk9277.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 18A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 643pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9275-100A,118
- buk9275.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1690pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9240-100A,118
- buk9240.100a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3072pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9230-55A,118
- buk9230.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 38A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1725pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9237-55A,118
- buk9237.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 32A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1236pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9237-55,118
- buk9237.55.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 32A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1236pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9230-100B,118
- buk9230.100b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 47A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3805pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9225-55A,118
- buk9225.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1724pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9226-75A,118
- buk9226.75a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 45A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9222-55A,118
- buk9222.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 48A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК