Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BUK6213-30A,118
- buk6213.30a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 30V 55A D-PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 198
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK6211-75C,118
- buk6211.75c.118
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK6213-30C,118
- buk6213.30c.118
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK6208-40C,118
- buk6208.40c.118
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS282Z E3230
- bts282z.e3230
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 49V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 232nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS282Z
- bts282z
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 49V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 232nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS247Z E3062A
- bts247z.e3062a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1730pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS247Z
- bts247z
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1730pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS247Z E3043
- bts247z.e3043
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1730pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS244Z E3062A
- bts244z.e3062a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2660pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS244Z
- bts244z
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2660pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS121A
- bts121a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB Серия: TEMPFET® · Тип: High Side · Тип входа: Non-Inverting · Число выходов: 1 · Сопротивление: 85 mOhm · Ток выходной / канал: 22A · Ток - выходной (пиковое значение): 68A · Рабочая температура: -55°C ~ 150°C · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS113A E3064
- bts113a.e3064
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS115A
- bts115a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 735pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS113A
- bts113a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS110 E3045A
- bts110.e3045a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS110
- bts110
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSZ160N10NS3 G
- bsz160n10ns3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSZ900N15NS3 G
- bsz900n15ns3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSZ440N10NS3 G
- bsz440n10ns3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК