Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для BUK7507-30B,127

BUK7507-30B,127

  • buk7507.30b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2427pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7506-75B,127

BUK7506-75B,127

  • buk7506.75b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7446pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7506-55B,127

BUK7506-55B,127

  • buk7506.55b.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7505-30A,127

BUK7505-30A,127

  • buk7505.30a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7506-55A,127

BUK7506-55A,127

  • buk7506.55a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7504-40A,127

BUK7504-40A,127

  • buk7504.40a.127
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5730pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7277-55A,118

BUK7277-55A,118

  • buk7277.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 18A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 422pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feat

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7237-55A,118

BUK7237-55A,118

  • buk7237.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 32.3A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 872pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK725R0-40C,118

BUK725R0-40C,118

  • buk725r0.40c.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH TRENCH 40V SOT-428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3820pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7275-100A,118

BUK7275-100A,118

  • buk7275.100a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1210pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7240-100A,118

BUK7240-100A,118

  • buk7240.100a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 34A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2293pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7227-100B,118

BUK7227-100B,118

  • buk7227.100b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 48A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2789pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7230-55A,118

BUK7230-55A,118

  • buk7230.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 38A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1152pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7226-75A,118

BUK7226-75A,118

  • buk7226.75a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 45A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7225-55A,118

BUK7225-55A,118

  • buk7225.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1310pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7222-55A,118

BUK7222-55A,118

  • buk7222.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 48A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1597pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7219-55A,118

BUK7219-55A,118

  • buk7219.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 55A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2108pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fea

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7215-55A,118

BUK7215-55A,118

  • buk7215.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 55A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2107pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK7212-55B,118

BUK7212-55B,118

  • buk7212.55b.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2453pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BUK72150-55A,118

BUK72150-55A,118

  • buk72150.55a.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 55V 11A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 322pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь