Полевые транзисторы - Одиночные, страница 1057
Всего товаров: 22220
BSS84-7-F
- bss84.7.f
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS84-7
- bss84.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS84,215
- bss84.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 130mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS84
- bss84
- Fairchild Semiconductor, ON
- MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 73pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS83PE6327
- bss83pe6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 330mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 78pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS7728N L6327
- bss7728n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 56pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS7728N
- bss7728n
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 56pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS670S2L
- bss670s2l
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 540mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS670S2L L6327
- bss670s2l.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 540mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS306N L6327
- bss306n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 275pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS225 L6327
- bss225.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 90MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 131pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS225
- bss225
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 90MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 131pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS223PW L6327
- bss223pw.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 390mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS214NW L6327
- bss214nw.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 143pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS209PW L6327
- bss209pw.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 580mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS209PW
- bss209pw
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 580mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS192P L6327
- bss192p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 104p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS192PE6327T
- bss192pe6327t
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 104p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS192PE6327
- bss192pe6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 104p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS192,115
- bss192.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК