Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для BSS84-7-F

BSS84-7-F

  • bss84.7.f
  • Diodes Inc
  • MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Lev

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS84-7

BSS84-7

  • bss84.7
  • Diodes Inc
  • MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Lev

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS84,215

BSS84,215

  • bss84.215
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 130mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Lev

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS84

BSS84

  • bss84
  • Fairchild Semiconductor, ON
  • MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 73pF @ 25V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS83PE6327

BSS83PE6327

  • bss83pe6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 330mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 78pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS7728N L6327

BSS7728N L6327

  • bss7728n.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 56pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS7728N

BSS7728N

  • bss7728n
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 56pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS670S2L

BSS670S2L

  • bss670s2l
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 540mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS670S2L L6327

BSS670S2L L6327

  • bss670s2l.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 540mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS306N L6327

BSS306N L6327

  • bss306n.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 275pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS225 L6327

BSS225 L6327

  • bss225.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 90MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 131pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS225

BSS225

  • bss225
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 90MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 131pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS223PW L6327

BSS223PW L6327

  • bss223pw.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 390mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS214NW L6327

BSS214NW L6327

  • bss214nw.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 143pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS209PW L6327

BSS209PW L6327

  • bss209pw.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 580mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS209PW

BSS209PW

  • bss209pw
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 580mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS192P L6327

BSS192P L6327

  • bss192p.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 104p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS192PE6327T

BSS192PE6327T

  • bss192pe6327t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 104p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS192PE6327

BSS192PE6327

  • bss192pe6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 104p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS192,115

BSS192,115

  • bss192.115
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Lev

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь