Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для BSS169 L6906

BSS169 L6906

  • bss169.l6906
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 7V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS169 L6327

BSS169 L6327

  • bss169.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 7V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS192,135

BSS192,135

  • bss192.135
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET P-CH 240V 200MA SOT-89 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS169 E6906

BSS169 E6906

  • bss169.e6906
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 7V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS159N L6906

BSS159N L6906

  • bss159n.l6906
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 44pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS159N E6906

BSS159N E6906

  • bss159n.e6906
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 44pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS139 L6327

BSS139 L6327

  • bss139.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS139 L6906

BSS139 L6906

  • bss139.l6906
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS159N E6327

BSS159N E6327

  • bss159n.e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 44pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS139 E6906

BSS139 E6906

  • bss139.e6906
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS139 E6327

BSS139 E6327

  • bss139.e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS138_L99Z

BSS138_L99Z

  • bss138.l99z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 27pF @ 25V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS138W E6327

BSS138W E6327

  • bss138w.e6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS138W L6433

BSS138W L6433

  • bss138w.l6433
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS138_D87Z

BSS138_D87Z

  • bss138.d87z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 27pF @ 25V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS138W E6433

BSS138W E6433

  • bss138w.e6433
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS138W L6327

BSS138W L6327

  • bss138w.l6327
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS138W-7

BSS138W-7

  • bss138w.7
  • Diodes Inc
  • MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS138W

BSS138W

  • bss138w
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для BSS138W-7-F

BSS138W-7-F

  • bss138w.7.f
  • Diodes Inc
  • MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь