Полевые транзисторы - Одиночные, страница 1058
Всего товаров: 22220
BSS169 L6906
- bss169.l6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 7V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS169 L6327
- bss169.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 7V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS192,135
- bss192.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 240V 200MA SOT-89 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS169 E6906
- bss169.e6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 7V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS159N L6906
- bss159n.l6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 44pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS159N E6906
- bss159n.e6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 44pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS139 L6327
- bss139.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS139 L6906
- bss139.l6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS159N E6327
- bss159n.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 44pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS139 E6906
- bss139.e6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS139 E6327
- bss139.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138_L99Z
- bss138.l99z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 27pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138W E6327
- bss138w.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138W L6433
- bss138w.l6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138_D87Z
- bss138.d87z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 27pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138W E6433
- bss138w.e6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138W L6327
- bss138w.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138W-7
- bss138w.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138W
- bss138w
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS138W-7-F
- bss138w.7.f
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК