Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BSC018N04LS G
- bsc018n04ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC016N04LS G
- bsc016n04ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC019N04NS G
- bsc019n04ns.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mohm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 108nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC014N03MS G
- bsc014n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 173nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC016N03LS G
- bsc016n03ls.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC014N03LS G
- bsc014n03ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 131nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSB017N03LX3 G
- bsb017n03lx3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSB015N04NX3 G
- bsb015n04nx3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSB019N03LX G
- bsb019n03lx.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSB014N04LX3 G
- bsb014n04lx3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSB053N03LP G
- bsb053n03lp.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSB024N03LX G
- bsb024n03lx.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSB012N03LX3 G
- bsb012n03lx3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSA223SP
- bsa223sp
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 390MA SC75 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 390mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 56p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS870-7
- bs870.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS270_D74Z
- bs270.d74z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS270
- bs270
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS250PSTOB
- bs250pstob
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 45V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS250PSTZ
- bs250pstz
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 45V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS250FTA
- bs250fta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 45V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 25pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК