Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BS170PSTOA
- bs170pstoa
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 270mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS170G
- bs170g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS108ZL1G
- bs108zl1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS108G
- bs108g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS108,126
- bs108.126
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 2.8V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS107PSTZ
- bs107pstz
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 500mW · Mounting Type: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS107PSTOB
- bs107pstob
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 500mW · Mounting Type: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS107PSTOA
- bs107pstoa
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 500mW · Mounting Type: Through Ho
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS107ARL1G
- bs107arl1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS107P
- bs107p
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 500mW · Mounting Type: Throug
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS107G
- bs107g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS107ARL1
- bs107arl1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS107AG
- bs107ag
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BMS4007
- bms4007
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFL4037
- bfl4037
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFL4026
- bfl4026
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFL4001
- bfl4001
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT3008LFDF-7
- dmt3008lfdf.7
- DIODES [Diodes Incorporated]
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT3008LFDF-13
- dmt3008lfdf.13
- DIODES [Diodes Incorporated]
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК