Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
3LN01SS-TL-H
- 3ln01ss.tl.h
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3700(F)
- 2sk3700.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 900V 5A SC-67 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 25V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3541T2L
- 2sk3541t2l
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V .1A VMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3065T100
- 2sk3065t100
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1A, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3050TL
- 2sk3050tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 10V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3018T106
- 2sk3018t106
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3019TL
- 2sk3019tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2887TL
- 2sk2887tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2731T146
- 2sk2731t146
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 100mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 25pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2740
- 2sk2740
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1050pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2715TL
- 2sk2715tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 2A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2713
- 2sk2713
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2504TL
- 2sk2504tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 5A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2503TL
- 2sk2503tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 5A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2299N
- 2sk2299n
- Rohm Semiconductor, Rohm
- MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2103T100
- 2sk2103t100
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2095N
- 2sk2095n
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2094TL
- 2sk2094tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 2A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК