Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
2036
- 2036
- Keystone Electronics
- SPACER RND #4 SCREW .125"L ALUM Тип: Round, Unthreaded, Female/Female · Размеры: 6.4 мм) 1/4" Outer Dia (0.250") · Размер Шнура/Винта/Отверстия: #4, 0.120" (3.0мм) Inner Dia · Длинна - общая: 3.2 мм) 1/8" (0.125") · Материал: Aluminum · Цвет: Натуральный
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2V7002LT1G
- 2v7002lt1g
- ON Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4221
- 2sk4221
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4210
- 2sk4210
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4125
- 2sk4125
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 30V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4124
- 2sk4124
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 30V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4117LS
- 2sk4117ls
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4087LS
- 2sk4087ls
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4089LS
- 2sk4089ls
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4080-ZK-E1-AY
- 2sk4080.zk.e1.ay
- NEC ELECTRONICS INC
- Mosfet N-Ch, 30V, 48A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4085LS
- 2sk4085ls
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 30V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4066-E
- 2sk4066.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4065-DL-E
- 2sk4065.dl.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4043LS
- 2sk4043ls
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4066-DL-E
- 2sk4066.dl.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4065-E
- 2sk4065.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4021(Q)
- 2sk4021.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4017(Q)
- 2sk4017.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 730pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4016(Q)
- 2sk4016.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 13A SC-67 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК