Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
2SK3048
- 2sk3048
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 20V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3045
- 2sk3045
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 20V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3044
- 2sk3044
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 20V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3043
- 2sk3043
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 450V 5A TO-220D Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 20V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK303100L
- 2sk303100l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 100V 15A UG-2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK302500L
- 2sk302500l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Pow
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK303000L
- 2sk303000l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 100V 8A UG-2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Powe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK302200L
- 2sk302200l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 60V 5A UG-2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3017(F)
- 2sk3017.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 900V 8.5A 2-16F1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2995(F)
- 2sk2995.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 250V 30A 2-16F1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2993(TE24L,Q)
- 2sk2993.te24l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 250V 20A TO-220FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2991(TE24L,Q)
- 2sk2991.te24l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2991(Q)
- 2sk2991.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2967(F)
- 2sk2967.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 250V 30A 2-16C1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2964(TE12L,F)
- 2sk2964.te12l.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 2A PW-MINI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 10V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2963(TE12L,F)
- 2sk2963.te12l.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2917(F)
- 2sk2917.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 500V 18A 2-16F1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3720pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2916(F)
- 2sk2916.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 500V 14A 2-16F1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2884(Q)
- 2sk2884.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 800V 5A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2865(TE16L1,NQ)
- 2sk2865.te16l1.nq
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 2A SC-64 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380pF @ 10V · FET Polarity: N-Chan
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК