Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
2SK1835-E
- 2sk1835.e
- RENESAS
- N-CHAN POWER MOSFET,4A,1500V,RDSON=7 OHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK137400L
- 2sk137400l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4.5pF @ 5 V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK1381(F)
- 2sk1381.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 100V 50A 2-16C1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK1339-E
- 2sk1339.e
- GLENAIR
- TO-3P 2SK1339-E(PBF) D/C07
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK1317-E
- 2sk1317.e
- RENESAS
- N-CHAN POWER MOSFET, 2,5A 1500V 12OHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK122800L
- 2sk122800l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4.5pF @ 5 V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK1119(F)
- 2sk1119.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK1058-E
- 2sk1058.e
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 160V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 100W · Mounting Type: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK066500L
- 2sk066500l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 150mW · Mounting Type: Surface
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK066400L
- 2sk066400l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK060100L
- 2sk060100l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ77-E
- 2sj77.e
- Renesas Technology America
- MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 160V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 30W · Mounting Type: Through
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK0615
- 2sk0615
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ681(Q)
- 2sj681.q
- Toshiba
- MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ656
- 2sj656
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75.5 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 20V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ652
- 2sj652
- ON Semiconductor
- P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ401(Q)
- 2sj401.q
- Toshiba
- MOSFET P-CH 60V 20A TO-220FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ377(TE16R1,NQ)
- 2sj377.te16r1.nq
- Toshiba
- MOSFET P-CH -60V -5A 2-7B2B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ360(TE12L,F)
- 2sj360.te12l.f
- Toshiba
- MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 155pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ352-E
- 2sj352.e
- Renesas Technology America
- MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 100W · Mounting Type: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК