Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
TK12A55D(STA4,Q,M)
- tk12a55d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK14A45DA(STA4,QM)
- tk14a45da.sta4.qm
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 13.5A 450V 45W 1550pF 0.41
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK11A60D(STA4,Q,M)
- tk11a60d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 11A 600V 45W 1550pF 0.65
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK11A55D(STA4,Q,M)
- tk11a55d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK12A53D(STA4,Q,M)
- tk12a53d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK100E06N1,S1X
- tk100e06n1.s1x
- Toshiba
- МОП-транзистор 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK13A45D(STA4,Q,M)
- tk13a45d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK8A65D(STA4,Q,M)
- tk8a65d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK10A55D(STA4,Q,M)
- tk10a55d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK13E25D,S1X(S
- tk13e25d.s1x.s
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK12A45D(STA4,Q,M)
- tk12a45d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK7A65D(STA4,Q,M)
- tk7a65d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK72E08N1,S1X
- tk72e08n1.s1x
- Toshiba
- МОП-транзистор 80V N-Ch PWR FET 157A 192W 81nC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK11A50D(STA4,Q,M)
- tk11a50d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP05N100P
- ixtp05n100p
- IXYS
- МОП-транзистор Polar Pwr МОП-транзистор 1KV w/reduced Rds(on)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK50E10K3(S1SS-Q)
- tk50e10k3.s1ss.q
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK9A60D(STA4,Q,M)
- tk9a60d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK9A55DA(STA4,Q,M)
- tk9a55da.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK6A65D(STA4,Q,M)
- tk6a65d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY1N80P
- ixty1n80p
- IXYS
- МОП-транзистор POLAR МОП-транзистор WITH REDUCED RDS 800V 1A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК