Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
TK34A10N1,S4X
- tk34a10n1.s4x
- Toshiba
- МОП-транзистор МОП-транзистор NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK6A53D(STA4,Q,M)
- tk6a53d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK6A55DA(STA4,Q,M)
- tk6a55da.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSH125N03TB1
- rsh125n03tb1
- ROHM Semiconductor
- МОП-транзистор Nch 30V 12.5A МОП-транзистор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK18E10K3,S1X(S
- tk18e10k3.s1x.s
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 18A 100V 71W 0.042 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK2A65D(STA4,Q,M)
- tk2a65d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK34E10N1,S1X
- tk34e10n1.s1x
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK4A60D(STA4,Q,M)
- tk4a60d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK6P53D(T6RSS-Q)
- tk6p53d.t6rss.q
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK7P50D(T6RSS-Q)
- tk7p50d.t6rss.q
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK46E08N1,S1X
- tk46e08n1.s1x
- Toshiba
- МОП-транзистор 80V N-Ch PWR FET 80A 103W 37nC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK7A45DA(STA4,Q,M)
- tk7a45da.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK5A55D(STA4,Q,M)
- tk5a55d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK4A55D(STA4,Q,M)
- tk4a55d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 4A 550V 35W 490pF 1.88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK4A60DB(STA4,Q,M)
- tk4a60db.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK5A53D(STA4,Q,M)
- tk5a53d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK6A50D(STA4,Q,M)
- tk6a50d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK22E10N1,S1X
- tk22e10n1.s1x
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK4P60DB(T6RSS-Q)
- tk4p60db.t6rss.q
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK5P53D(T6RSS-Q)
- tk5p53d.t6rss.q
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК