Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
TK58E06N1,S1X
- tk58e06n1.s1x
- Toshiba
- МОП-транзистор 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK4P55D(T6RSS-Q)
- tk4p55d.t6rss.q
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 4A 550V 80W 490pF 1.88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK4P60DA(T6RSS-Q)
- tk4p60da.t6rss.q
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 3.5A 600V 80W 490pF 2.2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK4A55DA(STA4,Q,M)
- tk4a55da.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 3.5A 550V 30W 380pF 2.45 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK30S06K3L(T6L1,NQ
- tk30s06k3l.t6l1.nq
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK35S04K3L(T6L1,NQ
- tk35s04k3l.t6l1.nq
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK4A53D(STA4,Q,M)
- tk4a53d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK6A45DA(STA4,Q,M)
- tk6a45da.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TJ20S04M3L(T6L1,NQ
- tj20s04m3l.t6l1.nq
- Toshiba
- МОП-транзистор P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK20S06K3L(T6L1,NQ
- tk20s06k3l.t6l1.nq
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 20A 60V 38W 780pF 0.029
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK20S04K3L(T6L1,NQ
- tk20s04k3l.t6l1.nq
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TJ10S04M3L(T6L1,NQ
- tj10s04m3l.t6l1.nq
- Toshiba
- МОП-транзистор P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK3A60DA(STA4,Q,M)
- tk3a60da.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK4P55DA(T6RSS-Q)
- tk4p55da.t6rss.q
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK4P50D(T6RSS-Q)
- tk4p50d.t6rss.q
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TPC8125,LQ(S
- tpc8125.lq.s
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TPC8133,LQ(S
- tpc8133.lq.s
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK4A50D(STA4,Q,M)
- tk4a50d.sta4.q.m
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1TK10S04K3L(T6L1,NQ
- tk10s04k3l.t6l1.nq
- Toshiba
- МОП-транзистор N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.028
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMG4N65CT
- dmg4n65ct
- Diodes Incorporated
- МОП-транзистор N-CH МОП-транзистор 650V 4A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК