Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTH220N055T
- ixth220n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 158nc @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH20P50P
- ixth20p50p
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 20A TO-247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 103nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5120pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH20N50D
- ixth20n50d
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH200N10T
- ixth200n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH200N085T
- ixth200n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH200N075T
- ixth200n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH1N100
- ixth1n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH182N055T
- ixth182n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 182A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 182A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4850pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH180N10T
- ixth180n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 180A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH180N085T
- ixth180n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 180A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH16P60P
- ixth16p60p
- IXYS
- MOSFET P-CH 600V 16A TO-247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5120pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH16P20
- ixth16p20
- IXYS
- MOSFET P-CH 200V 16A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH160N10T
- ixth160n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 160A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH160N075T
- ixth160n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 160A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4950pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH15N50L2
- ixth15n50l2
- IXYS
- MOSFET N-CH 15A 500V TO-247 Серия: Linear L2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 408
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH152N085T
- ixth152n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 152A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 152A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH150N17T
- ixth150n17t
- IXYS
- MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 175V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 980
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH14N80
- ixth14n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH14N100
- ixth14n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH140P05T
- ixth140p05t
- IXYS
- MOSFET P-CH 50V 140A TO-247 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК