Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTC75N10
- ixtc75n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220 Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 37.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC72N30T
- ixtc72n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC62N15P
- ixtc62n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH ISOPLUS-220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC36P15P
- ixtc36p15p
- IXYS
- MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2950
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC280N055T
- ixtc280n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 145A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 98
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC250N075T
- ixtc250n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 128A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 160W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC240N055T
- ixtc240n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 132A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC230N085T
- ixtc230n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 160W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC220N075T
- ixtc220n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 115A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7700
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC220N055T
- ixtc220n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 158nc @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 72
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC200N10T
- ixtc200n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 101A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC180N085T
- ixtc180n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8800pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC180N055T
- ixtc180n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V ISOPLUS 220 Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC160N10T
- ixtc160n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 66
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC160N085T
- ixtc160n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220 Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC13N50
- ixtc13n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC130N15T
- ixtc130n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC102N25T
- ixtc102n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTC102N20T
- ixtc102n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTB62N50L
- ixtb62n50l
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 20V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 550nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11500pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК