Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IXTA3N100D2

IXTA3N100D2

  • ixta3n100d2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 25V · FET Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA38N15T

IXTA38N15T

  • ixta38n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA36P15P

IXTA36P15P

  • ixta36p15p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 150V 36A TO-263 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA36N30T

IXTA36N30T

  • ixta36n30t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA36N30P

IXTA36N30P

  • ixta36n30p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA36N20T

IXTA36N20T

  • ixta36n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 36A TO-263 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA32P05T

IXTA32P05T

  • ixta32p05t
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 50V 32A TO-263 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1975pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA32N20T

IXTA32N20T

  • ixta32n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1760pF @ 25V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA300N04T2

IXTA300N04T2

  • ixta300n04t2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1070

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA2R4N120P

IXTA2R4N120P

  • ixta2r4n120p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA2N80P

IXTA2N80P

  • ixta2n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA2N80

IXTA2N80

  • ixta2n80
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA2N100P

IXTA2N100P

  • ixta2n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA2N100

IXTA2N100

  • ixta2n100
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 825pF @ 25V · FET Pol

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA28P065T

IXTA28P065T

  • ixta28p065t
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 65V 28A TO-263 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 65V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2030pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA27N20T

IXTA27N20T

  • ixta27n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 20V 27A TO-263 Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA26P20P

IXTA26P20P

  • ixta26p20p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 200V 26A TO-263 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2740pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA260N055T2-7

IXTA260N055T2-7

  • ixta260n055t2.7
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 260A TO-263 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10800p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA24P085T

IXTA24P085T

  • ixta24p085t
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 85V 24A TO-263 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2090pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTA240N055T7

IXTA240N055T7

  • ixta240n055t7
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 240A TO-263-7 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь