Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTA18P10T
- ixta18p10t
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA182N055T7
- ixta182n055t7
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 182A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4850pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA182N055T
- ixta182n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 182A TO-263 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 182A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4850pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA180N10T7
- ixta180n10t7
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 69
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA180N10T
- ixta180n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA180N085T7
- ixta180n085t7
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA180N085T
- ixta180n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 180A TO-263 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA180N055T
- ixta180n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 180A TO-263 Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA170N075T2
- ixta170n075t2
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 170A TO-263 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 109nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6860pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA160N10T7
- ixta160n10t7
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA160N10T
- ixta160n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 160A TO-263 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA160N085T
- ixta160n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 160A TO-263 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 164nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6400pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA160N075T7
- ixta160n075t7
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4950pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA160N075T
- ixta160n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 160A TO-263 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4950pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA152N085T7
- ixta152n085t7
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 152A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA152N085T
- ixta152n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 152A TO-263 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 152A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA140P05T
- ixta140p05t
- IXYS
- MOSFET P-CH 50V 140A TO-263 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA130N10T7
- ixta130n10t7
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA130N10T
- ixta130n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-263 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA130N065T2
- ixta130n065t2
- IXYS
- MOSFET N-CH 65V 130A TO-263 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 65V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 79nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК